SKY-net

Компания Micron 1 февраля представила высокоскоростную флеш-память NAND. Скорость чтения у новой памяти составляет 200 мегабайт в секунду, а скорость записи - до 100 мегабайт в секунду.

У обычной NAND-памяти скорость чтения ограничена 40 мегабайтами в секунду, а скорость записи составляет менее 20 мегабайт в секунду.

Новая память создана по 55-нанометровому технологическому процессу и выдерживает до 100 тысяч циклов чтения/записи. Представленные образцы могут хранить до 8 гигабит данных.

Ожидается, что производители начнут массовое производство высокоскоростной памяти во второй половине 2008 года.

citcity.ru

Опубликовано 04.02.2008 16:21 и размещено в рубрике IT новости. Вы можете следить за комментариями, подписавшись на RSS 2.0 ленту этого сообщения. Комментирование закрыто.

публикации сходной тематики

• Intel продает производства NAND SSD компании Micron
• Intel и Micron начинают производство 20нм чипов NAND
• Intel и Micron добились очередных успехов в сфере производства флэш-памяти NAND
• Intel и Micron начали выпуск 25нм флэш-памяти типа NAND
• Intel и Micron начали производство флеш-памяти NAND по 34-нанометровой технологии