Intel и Micron начали выпуск 25нм флэш-памяти типа NAND

На этой неделе компании Intel и Micron в рамках своего совместного предприятия IM Flash Technologies (IMFT) анонсировали первую, по их словам, в индустрии 25нм технологию производства полупроводников, которую они планируют использовать при создании NAND-памяти для SSD-накопителей и других потребительских продуктов, вроде смартфонов и медиа-плееров.

По словам компаний, они уже начали производство образцов NAND-флэш по новому 25нм техпроцессу. Последний позволяет вместить 8GB емкости NAND-флэш на кристалл с площадью в 167 кв.мм.

Для сравнения, по данным Intel и Micron, этот кристалл может пройти через центральное отверстие CD-диска. Хотя при этом CD-диск обладает лишь одной десятой емкости самого кристалла.

Intel и Micron начали выпуск 25нм флэш-памяти типа NAND

По словам производителей, для увеличения емкости накопителя они могут вместить несколько 25нм NAND-кристаллов внутрь стандартной промышленной единицы.

Кроме того, новая 25нм технология позволит производителям NAND-флэш продукции уменьшить число необходимых чипов при неизменной емкости. Так, например, 256GB SSD-накопитель будет содержать в себе лишь тридцать два 25нм чипа флэш-памяти, а не шестьдесят четыре как сейчас.

Вы спросите, когда же мы увидим продукты, выполненные по новой технологии на рынке? По словам компаний, устройство на 8GB по новой 25нм технологии должно поступить в массовое производство уже во втором квартале 2010 года.

www.winline.ru

публикации сходной тематики

Комментирование закрыто.

 

При наполнении сайта использована информация из открытых источников. Владелец сайта не несет ответственности за недостоверную и заведомо ложную информацию размещенную на страницах сайта. При использовании информации опубликованной на нашем сайте, ссылка обязательна.

Реклама на сайте: