Разработана технология уменьшения размеров компонентов наноэлектронных схем
Группа ученых из Колорадского университета в Боулдере (США) представила новую методику сокращения линейных размеров элементов электронных схем, основанную на одновременном использовании излучения с различными длинами волн. 
Зависимость диаметра получаемой твердой «точки» от времени облучения. Как видно, при использовании комбинированного излучения размеры элементов растут гораздо медленнее (изображение получено авторами исследования).
Затем авторы, воспользовавшись дихроичным фильтром, совместили излучение первого лазера с ультрафиолетовым излучением второго, сфокусированным в «кольцо» с помощью дифракционной решетки таким образом, дабы интенсивность на его оси равнялась нулю; в результате ультрафиолетовое излучение образовало «гало» вокруг видимого пучка. К мономеру было добавлено вещество, препятствующее его затвердеванию при облучении ультрафиолетом. Направив «комбинированный» пучок на подложку, исследователи получили элементы намного меньших размеров, так как их края эффективно «стирались» излучением второго лазера.
Отмечается, что новая технология способна продлить жизнь закона Мура. «Мы считаем, что нам удалось найти перспективный способ производства наноэлектронных устройств», — говорит ведущий автор исследования Роберт Маклеод (Robert McLeod).
Полная версия отчета будет опубликована в журнале Science.
Подготовлено по материалам EurekAlert!.
citcity.ru