Micron и Sun выпустили износоустойчивую флэш-память
Компании Micron и Sun разработали флэш-память, способную выдерживать до миллиона циклов перезаписи информации, сообщает TG Daily. Выпускаемая в настоящее время флэш-память обладает существенно меньшим сроком службы.
Micron уже начала тестовые поставки модулей флэш-памяти, изготовленных по новой технологии. Максимальная емкость модуля - 32 гигабита. Их серийное производство будет запущено в первом квартале 2009 года.
В настоящее время среднестатистическая флэш-память выдерживает не менее 10 тысяч циклов перезаписи информации. После этого корректная работа носителя не гарантируется.
В середине текущего года компании Samsung и Sun анонсировали совместный проект по разработке износоустойчивой флэш-памяти. Ожидается, что эта флэш-память будет выдерживать в пять раз больше циклов перезаписи информации, чем реальные образцы.
citcity.ru