IBM вплотную приблизилась к созданию чипов по нормам 32-нм техпроцесса
Компания IBM завершила разработку промышленной технологии, позволяющей сократить утечку энергии из транзисторов, а также существенно уменьшить размеры микросхем. Этого удалось добиться благодаря применению в полупроводниковых транзисторах диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью high-k. Разработка IBM вплотную приблизила компанию к созданию микропроцессоров по нормам 32-нм технологического процесса. В настоящее время в качестве диэлектрика затвора транзисторов используется диоксид кремния (SiO2). По мере миниатюризации транзисторов приходится постоянно снижать толщину подзатворного изолирующего слоя, что приводит к увеличению утечки из затвора. Предполагается, что применение вместо традиционного диоксида кремния нового материала (при той же толщине слоя) позволит уменьшить утечку в 100 или более раз. Другое достоинство high-k диэлектрика заключается в том, что его можно наращивать, регулируя толщину слоя с точностью до молекулы.
Между тем, IBM и ее партнерам уже удалось разработать опытный образец модуля SRAM, выполненного по нормам 32-нм техпроцесса. Технологии, освоенные в ходе создания модуля, будут использованы разработчиками при проектировании процессоров нового поколения.
citcity.ru