Разработчик памяти XDR, компания Rambus, готовится представить новую память с чрезвычайно высокой пропускной способностью – 1 Тб/с. 
Для повышения производительности своей памяти Rambus решила пойти путем увеличения пропускной способности, а не повышением рабочих частот. Так была разработана технология, принцип действия которой подобный применяемому в памяти DDR (Double Data Rate), т.е. передача за один цикл двойного объема информации. Только кратность в случае с новой памятью гораздо выше – не 2х, а 32х. Это позволяет данной памяти, работая на частоте 500 МГц, достигать 16 Гбит/с на 1 DQ-линию, что в сумме дает впечатляющие 1 Тб/с.
При этом достигать такой впечатляющей пропускной способности компания намерена посредством применения однокристальных систем (system on chip, SoC) и 16 4-байтовых модулей DRAM, каждый из которых обеспечивает пропускную способность 16 Гбит/с – в сумме 1 ТБ/с.
Данная память, по мнению Rambus, станет весьма подходящим решением для систем, использующих многоядерные процессоры для работы с ресурсоемкими приложениями.
Как предполагается, анонс памяти намечен на эту неделю, но выход на рынок произойдет только в 2011 году. Несмотря на это, Rambus намерена продемонстрировать рабочие образцы на мероприятии Rambus Developer Forum, которое пройдет 28 ноября в Токио.
Источники:
Daily Tech
Softpedia
www.overclockers.com.ua
Опубликовано
28.11.2007 03:43 и размещено в рубрике Hardware.
Вы можете следить за комментариями, подписавшись на RSS 2.0 ленту этого сообщения.
Комментирование закрыто.
публикации сходной тематики