Первый в мире 30 нм 64 Гбит чип флэш-памяти от Samsung
Данное устройство является довольно важным шагом в направлении увеличения плотность флэш-памяти, и, по словам Samsung уже сейчас можно создать с помощью шестнадцати подобных чипов карту памяти объемом 128 Гб! Подобные достижения стали возможны благодаря новой технологии SaDPT (self-aligned double patterning technology – технология самовыравниваемого двойного шаблона) которая позволяет применять литографию с техпроцессами от 30 нм и менее.
Выход на рынок новых 64 Гбит MLC NAND чипов намечен на 2009 год, при этом, Samsung ожидает довольно большую прибыль, так как прогнозируется, что совокупный объем продаж компонентов данного объема в период с 2009 по 2011 год может достичь $20 млрд.
www.overclockers.com.ua