В рамках специализированной конференции LithoVision 2010 докладчик от Intel Ян Бородовский (Yan Borodovsky) представил новый «литографический» роадмап компании, преподнеся присутствующим приятный сюрприз: используемая сегодня 193-нм иммерсионная литография будет актуальна не только в производстве 22-нм и 16-нм микрочипов, но и обеспечит переход на еще более совершенный 11-нанометровый техпроцесс.
Ранее представители Intel высказывали мнение, что вслед за 16-нм нормой обязательно потребуется мощный технологический рывок для преодоления существующих ограничений. Однако внедрение перспективной EUVL (субмикронной ультрафиолетовой литографии) в очередной раз откладывается: если прежде в Санта-Кларе рассчитывали задействовать ее при выпуске 22-нм кремниевых чипов, то сейчас речь идет уже о 16-нанометровых кристаллах и внедрении примерно через 2 года.
Говоря об исследованиях Intel в области фотолитографии, мы всегда держим в уме применение тех или иных разработок в производстве микропроцессоров. Для других крупных игроков рынка IT, занимающихся тиражированием менее сложных интегральных схем, задача несколько упрощается. Например, Samsung планирует начать практическое использование ULV-сканеров в изготовлении NAND флеш-памяти «до 2012 года».
www.overclockers.com.ua
Опубликовано
24.02.2010 13:24 и размещено в рубрике Hardware.
Вы можете следить за комментариями, подписавшись на RSS 2.0 ленту этого сообщения.
Комментирование закрыто.
публикации сходной тематики