Американские ученые создали нано-память
Доцент Отделения материаловедения университета Ритеш Агарвал (Ritesh Agarwal) разработал вместе с коллегами само-собирающиеся нано-нити из теллурида сурьмы и германия (self-assembling nanowire of germanium antimony telluride). Интересное свойство этого материала - то, что он может менять свое фазовое состояние из аморфного в кристаллическое и обратно, - было использовано исследователями для создания полноценной, допускающей перезапись, компьютерной памяти. Эти нано-изделия имеют размер только 100 атомов в диаметре. Для их производства не применялась - обычная для отрасли - литография, которая, по сути, является грубым процессом травления сильными химреактивами, и в ходе которой зачастую получаются изделия с существенными ограничениями по объему, размерам и эффективности.
"Мы измерили величину тока, необходимую для перезаписи состояния, скорость переключения между аморфным и кристаллическим состоянием, долговечность созданной структуры и время хранения данных ", - говорит Ритеш Агарвал.
Испытания показали чрезвычайно низкое энергопотребление, необходимое для кодирования данных (0,7 миллиВатта на бит). Они также показали, что время записи, стирания и извлечения данных (50 наносекунд) в 1000 раз меньше, чем у обычной флэш-памяти, и что информация, записанная в устройстве, не потеряется даже после примерно 100 тысяч лет хранения. Все это - при возможности реализации терабитного объема памяти.
"Эта новая технология памяти может революционизировать то, как мы обмениваемся информацией и передаем данные, включая поставку развлечений потребителям", - считает Ритеш Агарвал. "Мы получаем широкие возможности хранения и доступа к данным".
www.securitylab.ru