Intel и Micron начали выпуск 25нм флэш-памяти типа NAND

На этой неделе компании Intel и Micron в рамках своего совместного предприятия IM Flash Technologies (IMFT) анонсировали первую, по их словам, в индустрии 25нм технологию производства полупроводников, которую они планируют использовать при создании NAND-памяти для SSD-накопителей и других потребительских продуктов, вроде смартфонов и медиа-плееров.

По словам компаний, они уже начали производство образцов NAND-флэш по новому 25нм техпроцессу. Последний позволяет вместить 8GB емкости NAND-флэш на кристалл с площадью в 167 кв.мм.

Для сравнения, по данным Intel и Micron, этот кристалл может пройти через центральное отверстие CD-диска. Хотя при этом CD-диск обладает лишь одной десятой емкости самого кристалла.

Intel и Micron начали выпуск 25нм флэш-памяти типа NAND

По словам производителей, для увеличения емкости накопителя они могут вместить несколько 25нм NAND-кристаллов внутрь стандартной промышленной единицы.

Кроме того, новая 25нм технология позволит производителям NAND-флэш продукции уменьшить число необходимых чипов при неизменной емкости. Так, например, 256GB SSD-накопитель будет содержать в себе лишь тридцать два 25нм чипа флэш-памяти, а не шестьдесят четыре как сейчас.

Вы спросите, когда же мы увидим продукты, выполненные по новой технологии на рынке? По словам компаний, устройство на 8GB по новой 25нм технологии должно поступить в массовое производство уже во втором квартале 2010 года.

www.winline.ru

top of hotblogs.org.ua

публикации сходной тематики

Комментирование закрыто.

 

При наполнении сайта использована информация из открытых источников. Владелец сайта не несет ответственности за недостоверную и заведомо ложную информацию размещенную на страницах сайта. При использовании информации опубликованной на нашем сайте, ссылка обязательна.

Реклама на сайте: