Intel: иммерсионная литография обеспечит переход на 11-нм

В рамках специализированной конференции LithoVision 2010 докладчик от Intel Ян Бородовский (Yan Borodovsky) представил новый «литографический» роадмап компании, преподнеся присутствующим приятный сюрприз: используемая сегодня 193-нм иммерсионная литография будет актуальна не только в производстве 22-нм и 16-нм микрочипов, но и обеспечит переход на еще более совершенный 11-нанометровый техпроцесс.Фабрика AMD

Ранее представители Intel высказывали мнение, что вслед за 16-нм нормой обязательно потребуется мощный технологический рывок для преодоления существующих ограничений. Однако внедрение перспективной EUVL (субмикронной ультрафиолетовой литографии) в очередной раз откладывается: если прежде в Санта-Кларе рассчитывали задействовать ее при выпуске 22-нм кремниевых чипов, то сейчас речь идет уже о 16-нанометровых кристаллах и внедрении примерно через 2 года.

Говоря об исследованиях Intel в области фотолитографии, мы всегда держим в уме применение тех или иных разработок в производстве микропроцессоров. Для других крупных игроков рынка IT, занимающихся тиражированием менее сложных интегральных схем, задача несколько упрощается. Например, Samsung планирует начать практическое использование ULV-сканеров в изготовлении NAND флеш-памяти «до 2012 года».

www.overclockers.com.ua

публикации сходной тематики

Комментирование закрыто.

 

При наполнении сайта использована информация из открытых источников. Владелец сайта не несет ответственности за недостоверную и заведомо ложную информацию размещенную на страницах сайта. При использовании информации опубликованной на нашем сайте, ссылка обязательна.

Реклама на сайте: