Toshiba выпустила рекордные по емкости микросхемы флэш-памяти
Ожидается, что представленные микросхемы флэш-памяти будут изготавливаться по 43-нм технологическому процессу, первые готовые образцы устройств поставят партнерам Toshiba в середине сентября этого года. Разработчики подготовили два варианта микросхем - e-MMC и e-SD, поддерживающие интерфейс MMCA Ver 4.3 и SDA Ver 2.0 соответственно.
Японская компания Toshiba сообщила о выпуске интегральных микросхем флэш-памяти NAND-типа, причем особое внимание привлекает высочайшая на данный момент плотность размещения информации. Ведь микрочипы позволяют записывать сразу до 32 Гб информации, причем основное применение устройства должны найти в портативных электронных устройств, таких как мобильные телефоны, цифровые фотоаппараты, мультимедийные плееры и пр.
- поддержка интерфейса JEDEC/MMCA Ver 4.3;
- рабочее напряжение 2,7 – 3,6 Вольт для ядра и 1,7 – 1,95 Вольт для интерфейса;
- ширина шины х1/х4/х8;
- скорость записи данных 10 Мб/с, либо 18 Мб/с;
- скорость записи данных 20 Мб/с;
- корпусировка: 153-контактный корпус FBGA.
Основные характеристики микросхем флэш-памяти Toshiba e-SD:
- поддержка интерфейса SDA Ver 2.0;
- рабочее напряжение 2,7 – 3,6 Вольт;
- ширина шины х1/х4;
- скорость записи данных - Class 4;
- скорость записи данных - Class 4;
- корпусировка: 153-контактный корпус FBGA.
citcity.ru