SKY-net

Группа ученых из Корейского института науки и технологий (Южная Корея) опубликовала статью в журнале Applied Physics Letters, в которой сообщается об основании первой в мире действующей прозрачной микросхемы памяти. Свою разработку исследователи назвали «прозрачной резистивной памятью с произвольной выборкой» (transparent resistive random access memory, TRRAM), сообщает Science Daily.

По характеристикам микросхема напоминает широко используемую в настоящее время энергонезависимую память типа КМОП. Технологически же новые чипы во многом повторяют недавно разработанные образцы резистивной памяти с произвольной выборкой (resistive random access memory, RRAM). При изготовлении RRAM используются отличающиеся высокой прозрачностью металлооксидные материалы, и корейским ученым оставалось лишь отыскать подходящие прозрачные электроды и подложку и придумать на этой основе микросхему. Коэффициент пропускания излучения в видимом диапазоне у готового изделия оказался равен 0,81.

«Мы открыли новый этап в развитии светопроницаемой электроники, — уверенно заявляет Джун Вон Сео (Jung Won Seo), ведущий автор работы. — Объединив TRRAM с другими прозрачными компонентами, можно разработать завершенное — и просматриваемое насквозь — электронное устройство». По словам ученых, наладить производство микросхем TRRAM сравнительно просто, и до коммерческой реализации новой технологии осталось всего три-четыре года. Цена на такие устройства также не должна быть крайне высокой, так как в качестве подложки и электродов можно использовать практически любые прозрачные материалы.

citcity.ru

Опубликовано 17.12.2008 05:21 и размещено в рубрике IT новости. Вы можете следить за комментариями, подписавшись на RSS 2.0 ленту этого сообщения. Комментирование закрыто.

публикации сходной тематики

• Анонс 2-гигабайтной памяти DDR2-1066
• Издательство Random House поддержит Google Book Search
• NEC разработала самую быструю память MRAM
• Centrino 2 будет оснащаться 2GB Turbo Memory
• Разрабатывается энергонезависимая память нового типа