Будущее flash-памяти связано с переходом на графеновые транзисторы

Группа ученых из Университета Райса (г. Хьюстон, США) доложила об успешных испытаниях ячеек памяти на основе графеновых транзисторов. Материал графен был впервые выделен в 2005 году в ходе экспериментов с частицами углерода. С тех пор он считается одним из самых перспективных преемников классической кремниевой микроэлектроники.Графеновый слой

www.overclockers.com.ua

публикации сходной тематики

Комментирование закрыто.

 

При наполнении сайта использована информация из открытых источников. Владелец сайта не несет ответственности за недостоверную и заведомо ложную информацию размещенную на страницах сайта. При использовании информации опубликованной на нашем сайте, ссылка обязательна.

Реклама на сайте: